دیتاشیت IPP100N12S3-05
مشخصات دیتاشیت
| نام دیتاشیت |
IPP100N12S3-05
|
| حجم فایل |
71.216
کیلوبایت
|
| نوع فایل |
pdf
|
| تعداد صفحات |
9
|
مشخصات
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies IPP100N12S3-05
-
Power Dissipation (Pd):
300W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
120V
-
Continuous Drain Current (Id):
100A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
4V@240uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
5.1mΩ@10V,100A
-
Package:
TO-220-3
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
